Биполярный транзистор - это полупроводниковый устройство с 2-мя р-n переходами и 3-мя выводами, служащий для усиления мощности. В транзисторе имеется три области - эмиттер (э), база (б) и коллектор (к). Зависимо от типа проводимости этих областей различают транзисторы n-p-n и p-n-p типа. Таковым образом, в транзисторе имеется два p-n перехода: эмиттер-база (эмиттерный) и коллектор-база (коллекторный). Стрелка на условных обозначениях транзисторов (см. сначала главы) показывает направление от p области к n области. Механизм работы обоих типов транзисторов схож.

Толщина базы делается существенно меньше длины вольного пробега неосновных носителей тока, попадающих в нее из эмиттера, а концентрация главных носителей в базе много меньше концентрации главных носителей в эмиттере. В итоге в базе сводится до минимума рекомбинация неосновных носителей с основными, пришедшими из эмиттера. Площадь коллекторного перехода (перехода база-коллектор) существенно больше площади эмиттерного перехода (перехода база-эмиттер). Это делается для того, чтоб перехватить весь поток носителей, идущих от эмиттера, также поэтому, что на коллекторном переходе выделяется большая мощность. Концентрация же главных носителей в коллекторе несколько меньше, чем в эмиттере. Зависимо от того, какое напряжение (прямое либо оборотное) подано на переходы транзистора, выделяют четыре режима работы транзистора. В активном режиме (он является главным) напряжение на эмиттерном переходе прямое, на коллекторном - оборотное. В режиме отсечки (запирания) на оба перехода подается оборотное напряжение. В режиме насыщения напряжение на обоих переходах прямое. В инверсном режиме на коллекторном переходе напряжение прямое, а на эмиттерном - оборотное.

Разглядим работу транзистора n-p-n типа в активном режиме без перегрузки. На рисунке темными кружками изображены электроны, светлыми -дырки. Так как на переход база-эмиттер подано прямое напряжение, то сопротивление эмиттерного перехода не достаточно и для получения тока на этом переходе довольно напряжения Е1 в десятые толики вольта. Сопротивление коллекторного перехода велико (на него подано оборотное напряжение) и напряжение Е2 обычно составляет единицы и 10-ки вольт.

При увеличении прямого напряжения на эмиттерном переходе электроны из эмиттера перебегают в базу. Благодаря малой толщине базы и малой концентрации в ней дырок только незначимая часть электронов рекомбинирует с дырками базы, образуя ток базы (его стараются сделать как можно меньше). Основная часть электронов добивается коллекторного перехода и под действием его оборотного напряжения втягивается в коллектор (электроны являются неосновными носителями для базы и поле запирающего слоя на переходе коллектор-база является для их ускоряющим). Потому ток коллектора только незначительно меньше тока эмиттера: 1э=1к+1б.

Когда на эмиттерный переход не подано прямое напряжение, то через коллектроный переход протекает лишь маленький оборотный ток, сделанный неосновными носителями. Таковым образом, прямое напряжение эмиттерного перехода значительно влияет на токи эмиттера и коллектора: чем больше это напряжение, тем больше токи эмиттера и коллектора. Такое свойство транзистора дозволяет применять его в качестве электрического ключа, также для усиления электронного тока.