Почему я избрал транзистор конкретно типа p-n-p? Легче разъяснить, что ток эмиттера в транзисторе разветвляется на ток базы и ток коллектора, так как за техническое направление тока, напомню, принято направление от плюса к минусу. Токи, проходя по резисторам R1 и R2, вновь соединяются в один ток, возвращающийся в источник питания. Тут все в согласовании с законом Кирхгофа. А если вспомянуть, что ток базы и ток коллектора транзистора соединены соотношением ! к=Вст*! б, другими словами, ток коллектора равен произведению тока базы на статический коэффициент усиления по току, имеющий значение порядка несколько 10-ов единиц, то становится понятно, что ток коллектора практически равен току эмиттера, так как ток базы невелик.

Переход база-эмиттер транзистора ведет себя подобно диодику в прямом включении, другими словами, пропускает ток от источника ЭДС V1 через резистор R1, при всем этом в грубом приближении мы можем его найти по закону Ома, разделив 10 В на 100 кОм. Наиболее четкий расчет должен включать падение напряжения на переходе база-эмиттер (порядка 0.5-0.7 В для кремниевого транзистора) и падение напряжения на резисторе R3, которыми мы пока пренебрегаем. Ток базы 0.1 мА при коэффициенте усиления транзистора равном 100 перевоплотится в 10 мА тока коллектора. А этот ток, протекая по резистору R2, должен вызывать на нем падение напряжения равное 50 В (5000 Ом * 0.01 А), что, похоже, никак не может иметь место.

Добавив к схеме Моделирование на неизменном токе из состава компонент (левое окно, меню выбора компонент, раздел Виды моделирования), запустим это самое моделирование. Опосля моделирования раскрывается новое рабочее поле, на которое можно расположить график либо таблицу, которые выбираются в левом окне, открывающемся на разделе Диаграммы. Перенесем табличную форму отображения результатов моделирования (из Диаграмм) в новейшую рабочую область, а в открывшемся диалоговом окне два раза щелкнем по Pr1. V под надписью Набор данных и нажмем клавиши Применить и ОК. В приобретенной таблице измеритель напряжения покажет напряжение эмиттер-коллектор транзистора равное 0.291 В. На резисторе R2, естественно, не 50 В, но, фактически, все напряжение источника питания. Мне отчего-то кажется, что следует уменьшить ток базы, увеличив резистор R1, что приведет к уменьшению тока коллектора. Хотелось бы получить падение напряжения эмиттер-коллектор транзистора (напомню, что эмиттер рисуется со стрелочкой) близкое к половине напряжения питания. Попробуем прирастить резистор R1 в 10 раз, другими словами, создадим его равным 1000 кОм (1 МОм). Вправду, сейчас моделирование указывает, что напряжение эмиттер-коллектор, измеряемое нашим измерителем напряжения, равно 5.43 В.

Если в этот момент запамятовать, что имеешь дело с транзистором, в коллекторную цепь которого включен резистор, если представить для себя, что к резистору R2 подключен тоже резистор, назовем его Rтран, то мы получим типичный делитель напряжения. Базисный ток описывает величину резистора Rтран, и, если базисный ток будет переменным, изменяющимся по некому закону, то величина этого резистора будет изменяться по тому же закону, а, как следует, делитель напряжения будет разделять напряжение источника питания, повторяя закон конфигурации базисного тока. Значительные конфигурации базисного тока происходят при маленьких конфигурациях напряжения эмиттер-база, что обосновано качествами p-n перехода в прямом включении и конструкцией транзистора. А в 10-ки раз большее изменение коллекторного тока дозволяет получить огромные конфигурации напряжения эмиттер-коллектор. Может быть, модель транзистора, как управляемого резистора, легче принимать, тем паче, что есть схемы, где транзистор употребляется конкретно в качестве управляемого резистора.